Package Information
Vishay Siliconix
TO-251AA (HIGH VOLTAGE)
E1
4
Thermal PAD
3
E
4
b 4
A
0.010 0.25 M C A B
A
c2
θ 2
L2 4
θ 1
A
D1
4
B
3
C
Seating
5
plane
(Dat u m A)
L1 L3
C
C
L
B
B
A
3 x b 2
c
A1
V ie w A - A
2xe
3x b
0.010 0.25 M C A B
Base
Lead tip
Plating
5
b 1, b 3
metal
(c)
c1
5
( b , b 2)
Section B - B and C - C
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
2.18
0.89
0.64
MAX.
2.39
1.14
0.89
MIN.
0.086
0.035
0.025
MAX.
0.094
0.045
0.035
DIM.
D1
E
E1
MIN.
5.21
6.35
4.32
MAX.
-
6.73
-
MIN.
0.205
0.250
0.170
MAX.
-
0.265
-
b1
0.65
0.79
0.026
0.031
e
2.29 BSC
2.29 BSC
b2
b3
b4
c
c1
c2
0.76
0.76
4.95
0.46
0.41
0.46
1.14
1.04
5.46
0.61
0.56
0.86
0.030
0.030
0.195
0.018
0.016
0.018
0.045
0.041
0.215
0.024
0.022
0.034
L
L1
L2
L3
θ 1
θ 2
8.89
1.91
0.89
1.14
0'
25'
9.65
2.29
1.27
1.52
15'
35'
0.350
0.075
0.035
0.045
0'
25'
0.380
0.090
0.050
0.060
15'
35'
D
5.97
6.22
0.235
0.245
ECN: S-82111-Rev. A, 15-Sep-08
DWG: 5968
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimension are shown in inches and millimeters.
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.13 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outermost extremes of the plastic body.
4. Thermal pad contour optional with dimensions b4, L2, E1 and D1.
5. Lead dimension uncontrolled in L3.
6. Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only.
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-251AA.
Document Number: 91362
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料
IRFR9120NTRR MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRFS11N50ATRR MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
IRFS17N20DTRLP MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRFS3507TRLPBF MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
IRFS450B MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
IRFSL23N15D MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
IRFSL23N20D MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
IRFSL33N15DTRRP MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
相关代理商/技术参数
IRFR9111 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252
IRFR9120 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120_R4941 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR91209A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA
IRFR91209AR3603 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR9120N 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK
IRFR9120NCPBF 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9120NPBF 功能描述:MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube